Panasonic松下 PhotoMOS CC TSON 1b 继电器・光电耦合器
Panasonic松下 PhotoMOS CC TSON 1b 继电器・光电耦合器 基本信息 小型尺寸、低消耗电流实现TSON 1b型的容量绝缘方式 尚未取得海外安全标准认证。 特点 1.小型·低高度形状：采用 TSON 封装 安装面积仅为3.5mm2。相较于以往产品(SOP型)，削减约88％采用无需外接输入电阻的电压驱动型，从而使得产品更加小巧，进一步节省基板空间，有助于高密度安装的实现。 2.低消耗电流（输入电流：Max.0.2mA） 3.高温度动作保证（Max.105℃） 4.电压驱动型（3V～5V） 用途 1.测量仪器 IC测试仪、探针卡、电路板测试仪、其他各种检查装置 2.安防设备 3.可穿戴设备、电池驱动设备等所需的低消耗电流用途 注）如需将PhotoMOS用于车载用途，请与本公司营业部咨询。 订货产品号 订货产品号 封装 电压类型 端子形状 包装方式 负载电压 负载电流 耐电压 品号 AQY4C2P1X 型号 AQY4C2P1X TSON AC/DC 表面安装端子 盘装包装(1X) 60V 0.15A 200Vrms 品号 AQY4C2PX 型号 AQY4C2PX TSON AC/DC 表面安装端子 盘...
分类：
货号：
PhotoMOS CC TSON 1b
描述
Panasonic松下 PhotoMOS CC TSON 1b 继电器・光电耦合器
基本信息
小型尺寸、低消耗电流实现TSON 1b型的容量绝缘方式
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尚未取得海外安全标准认证。
特点
1.小型·低高度形状：采用 TSON 封装
安装面积仅为3.5mm2。相较于以往产品(SOP型)，削减约88％
采用无需外接输入电阻的电压驱动型，从而使得产品更加小巧，进一步节省基板空间，有助于高密度安装的实现。
|
2.低消耗电流（输入电流：Max.0.2mA）
3.高温度动作保证（Max.105℃）
4.电压驱动型（3V～5V）
用途
1.测量仪器
IC测试仪、探针卡、电路板测试仪、其他各种检查装置
2.安防设备
3.可穿戴设备、电池驱动设备等所需的低消耗电流用途
注）如需将PhotoMOS用于车载用途，请与本公司营业部咨询。
订货产品号
| 订货产品号 | 封装 | 电压类型 | 端子形状 | 包装方式 | 负载电压 | 负载电流 | 耐电压 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TSON | AC/DC | 表面安装端子 | 盘装包装(1X) | 60V | 0.15A | 200Vrms | ||||
|
|
TSON | AC/DC | 表面安装端子 | 盘装包装(X) | 60V | 0.15A | 200Vrms |
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发现了2件的产品。 现表示其中的1～2件 |
包装数量
盘装包装 X
| 1卷 | : | 3,500个 | |
|---|---|---|---|
| 外箱 | : | 3,500个 |
盘装包装1X
| 1卷 | : | 1,000个 | |
|---|---|---|---|
| 外箱 | : | 1,000个 |
| 注) | 因刻印空间有限，商品刻印仅显示产品号的一部分“4C2”。(例：产品号AQY4C2PX→4C2) |
|---|---|
| *1 | 负载电压·负载电流:表示峰值AC，DC。 |
| *2 | 包装形态为盘装包装。盘装包装X时1，2号端子为拉出方向。 需3，4号端子为拉出方向的时，订购时末尾“X”更改为“Z”。 |
额定・性能概要
额定
1.绝对最大额定值（测定条件 环境温度：25℃）
| 项目 | 符号 | AQY4C2P | 备注 | |
|---|---|---|---|---|
| 输入端 | 输入电压 |
VIN
|
5.5 V
|
|
| 输入反向电压 |
VRIN
|
0.2 V
|
||
| 允许损耗 |
Pin
|
1.2 mW
|
||
| 输出端 | 负载电压(峰值AC) |
VL
|
60 V
|
|
| 连续负载电流 |
IL
|
0.15 A
|
峰值AC, DC | |
| 峰值负载电流 |
Ipeak
|
0.4 A
|
100 ms (1 shot), VL=DC | |
| 输出损耗 |
Pout
|
250 mW
|
||
| 全部允许损耗 |
PT
|
250 mW
|
||
| 耐电压 |
Viso
|
200 Vrms
|
||
| 使用环境温度 |
Topr
|
-40～+105°C
|
(但应无结冰、凝露) | |
| 保存温度 |
Tstg
|
-40～+125°C
|
||
2.性能概要（测定条件 环境温度：25℃）
| 项目 | 符号 | AQY4C2P | 测量条件 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| 输入 | 动作电压 | 平均 |
VFoff
|
1.6 V
|
IL = Max. |
| 最大 |
2.5 V
|
||||
| 复位电压 | 最小 |
VFon
|
0.5 V
|
||
| 平均 |
1.4 V
|
||||
| 输入电流 | 平均 |
IIN
|
0.04 mA
|
VIN = 3.3 V | |
| 最大 |
0.1 mA
|
||||
| 平均 |
0.09 mA
|
VIN = 5 V | |||
| 最大 |
0.2 mA
|
||||
| 输出 | 导通电阻 | 平均 |
Ron
|
4 Ω
|
VIN = 0 V, IL = Max. 通电时间=1秒以下 |
| 最大 |
8 Ω
|
||||
| 开路状态漏电流 | 最大 |
ILeak
|
10 nA
|
VIN = 3.3 V, VL = Max. | |
| 传输特性 | 动作时间※ | 平均 |
Toff
|
0.11 ms
|
VIN = 0 V → 3.3 V VL = 10 V RL = 100 Ω |
| 最大 |
1.0 ms
|
||||
| 平均 |
0.06 ms
|
VIN = 0 V → 5 V VL = 10 V RL = 100 Ω |
|||
| 最大 |
0.5 ms
|
||||
| 复位时间※ | 平均 |
Ton
|
0.3 ms
|
VIN = 3.3 V → 0 V VL = 10 V RL = 100 Ω |
|
| 最大 |
1.5 ms
|
||||
| 平均 |
0.5 ms
|
VIN = 5 V → 0 V VL = 10 V RL = 100 Ω |
|||
| 最大 |
1.5 ms
|
||||
| 输入/输出 端子间容量 |
平均 |
Ciso
|
1.2 pF
|
f = 1 MHz, VB = 0 V | |
| 最大 |
3 pF
|
||||
| ※ | 动作·复位时间 |
|---|
3.动作条件（测定条件 环境温度：25℃）
建议在以下条件进行使用，待获得更好的性能。
以下条件受使用环境的影响，因此请确认样本中所记载的各项信息。
此外，受输出侧的波形影响，可能无法获得预期的性能。请参照PhotoMOS使用上的注意事项。
| 项目 | 编号 | 最小 | 最大 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|
|
输入电压
|
VIN
|
3
|
5
|
V
|
|
| AQY4C2P | 负载电压(峰值AC) |
VL
|
-
|
30
|
V
|
| 连续负载电流 |
IL
|
-
|
0.15
|
A
|
|
尺寸图
|
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