Panasonic松下 GE 1a1b PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

Panasonic松下 GE 1a1b PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

Panasonic松下 GE 1a1b PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器) 基本信息具备加强绝缘5,000V 1a1b型 UL 、VDE 已取得。特点 1.负载电压　60V型具备低导通电阻(1Ω)、高容量(0.5A) 2.负载电压　备有60V、350V、400V 3.耐电压　5,000V(高耐电压) 4.输出构成：1a1b 用途 1.电源 2.安防设备 3.电话设备 4.传感器设备 5.测量仪器 6.通信调制解调器 7.电力・工厂设备订货产品号订货产品号封装电压类型端子形状包装方式负载电压负载电流耐电压品号 AQW610EH 型号 AQW610EH DIP8 AC/DC 标准P/C板端子管装包装 350V 120mA 5,000Vrms 品号 AQW610EHA 型号 AQW610EHA DIP8 AC/DC 表面安装端子管装包装 350V 120mA 5,000Vrms 品号 AQW610EHAX 型号 AQW610EHAX DIP8 AC/DC 表面安装端子盘装包装(X) 350V 120mA 5,000Vrms 品号 AQW610EHAZ 型号 AQW610EHAZ DIP8 AC/DC 表面安装端子盘装包装(Z) 350V 120mA 5,000Vrms 品号 AQW612EH 型...

分类：

Panasonic松下

货号：

GE 1a1b

Panasonic松下 GE 1a1b PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

基本信息

具备加强绝缘5,000V 1a1b型

UL 、VDE 已取得。

特点

1.负载电压　60V型具备低导通电阻(1Ω)、高容量(0.5A)

2.负载电压　备有60V、350V、400V

3.耐电压　5,000V(高耐电压)

4.输出构成：1a1b

用途

1.电源

2.安防设备

3.电话设备

4.传感器设备

5.测量仪器

6.通信调制解调器

7.电力・工厂设备

订货产品号

订货产品号

封装

电压类型

端子形状

包装方式

负载电压

负载电流

耐电压

DIP8

AC/DC

标准P/C板端子

管装包装

350V

120mA

5,000Vrms

DIP8

AC/DC

表面安装端子

管装包装

350V

120mA

5,000Vrms

DIP8

AC/DC

表面安装端子

盘装包装(X)

350V

120mA

5,000Vrms

DIP8

AC/DC

表面安装端子

盘装包装(Z)

350V

120mA

5,000Vrms

DIP8

AC/DC

标准P/C板端子

管装包装

60V

500mA

5,000Vrms

DIP8

AC/DC

表面安装端子

管装包装

60V

500mA

5,000Vrms

DIP8

AC/DC

表面安装端子

盘装包装(X)

60V

500mA

5,000Vrms

DIP8

AC/DC

表面安装端子

盘装包装(Z)

60V

500mA

5,000Vrms

DIP8

AC/DC

标准P/C板端子

管装包装

400V

100mA

5,000Vrms

DIP8

AC/DC

表面安装端子

管装包装

400V

100mA

5,000Vrms

DIP8

AC/DC

表面安装端子

盘装包装(X)

400V

100mA

5,000Vrms

DIP8

AC/DC

表面安装端子

盘装包装(Z)

400V

100mA

5,000Vrms

发现了12件的产品。 现表示其中的1～12件

包装数量	：	标准P/C板端子	：	内箱(管装包装)50个、外箱400个
包装数量	：	表面安装端子	：	内箱(管装包装)50个、外箱400个内箱(盘装包装)1,000个、外箱1,000个

额定・性能概要

额定

1.绝对最大额定值(测定条件环境温度：25℃)

项目		符号	AQW612EH(A)	AQW610EH(A)	AQW614EH(A)	备注
输入端	LED电流	I_F	50mA
	LED反向电压	V_R	5V
	最大正向电流	I_FP	1A			f=100Hz 占空比=0.1%
	允许损耗	P_in	75mW
输出端	负载电压 (峰值AC)	V_L	60V	350V	400V
	连续负载电流	I_L	0.5A(0.6A)	0.12A(0.14A)	0.1A(0.13A)	峰值AC，DC ( )内仅限使用1a或1b 1电路时
	峰值负载电流	I_peak	1.5A	0.36A	0.3A	100ms(1shot) V_L=DC
	输出损耗	P_out	800mW
全部允许损耗		P_T	850mW
耐电压		V_iso	5,000Vrms
使用环境温度		T_opr	−40～+85℃			(应无结冰，结露)
保存温度		T_stg	−40～+100℃
接合部温度		Tj	125℃

2.性能概要（测定条件环境温度：25℃）

项目			符号	AQW612EH(A)	AQW610EH(A)	AQW614EH(A)	测定条件
输入	动作LED电流	平均	I_Fon(N.O.) I_Foff(N.C.)	1.4mA			I_L=Max.
	动作LED电流	最大	I_Fon(N.O.) I_Foff(N.C.)	3mA
	复位LED电流	最小	I_Foff(N.O.) I_Fon(N.C.)	0.4mA
	复位LED电流	平均	I_Foff(N.O.) I_Fon(N.C.)	1.3mA
	LED压降	平均	V_F	1.25V(I_F=5mA时，1.14V)			I_F=50mA
	LED压降	最大	V_F	1.5V			I_F=50mA
输出	导通电阻	平均	R_on	1Ω	18Ω	26Ω	I_F=5mA(N.O.) I_F=0mA(N.C.) I_L=Max. 通电时间=1秒以下
	导通电阻	最大	R_on	2.5Ω	25Ω	35Ω	I_F=5mA(N.O.) I_F=0mA(N.C.) I_L=Max. 通电时间=1秒以下
	开路状态漏电流	最大	I_Leak	1µA(N.O.)，10µA(N.C.)			I_F=0mA(N.O.) I_F=5mA(N.C.) V_L=Max.
传输特性	动作时间^※	平均	T_on(N.O.) T_off(N.C.)	1ms(N.O.) 3ms(N.C.)	0.5ms(N.O.) 1.0ms(N.C.)	0.5ms(N.O.) 0.8ms(N.C.)	I_F=0mA→5mA I_L=Max.
	动作时间^※	最大	T_on(N.O.) T_off(N.C.)	4ms(N.O.) 10ms(N.C.)	3ms		I_F=0mA→5mA I_L=Max.
	复位时间^※	平均	T_off(N.O.) T_on(N.C.)	0.05ms(N.O.) 0.2ms(N.C.)	0.08ms(N.O.) 0.3ms(N.C.)	0.08ms(N.O.) 0.2ms(N.C.)	I_F=5mA→0mA I_L=Max.
	复位时间^※	最大	T_off(N.O.) T_on(N.C.)	1ms			I_F=5mA→0mA I_L=Max.
	输入/输出端子间容量	平均	C_iso	0.8pF			f=1MHz V_B=0V
	输入/输出端子间容量	最大	C_iso	1.5pF			f=1MHz V_B=0V
	输入/输出间绝缘电阻	最小	R_iso	1,000MΩ			500V DC

注）有关连接方法请参照内部方块图·端子接线图。

※	动作·复位时间

3.建议动作条件（测定条件环境温度：25℃）

为了正确地使用输出光电耦合器动作、复位，请按以下条件进行使用。

项目		符号	使用电路数	最小	最大	单位
LED电流		I_F	-	5	30	mA
AQW612EH(A)	负载电压(峰值AC)	V_L	-	-	48	V
AQW612EH(A)	连续负载电流	I_L	1ch 2ch	-	0.6 0.5	A
AQW610EH(A)	负载电压(峰值AC)	V_L	-	-	280	V
AQW610EH(A)	连续负载电流	I_L	1ch 2ch	-	0.14 0.12	A
AQW614EH(A)	负载电压(峰值AC)	V_L	-	-	320	V
AQW614EH(A)	连续负载电流	I_L	1ch 2ch	-	0.13 0.1	A

尺寸图

标准P/C板端子

外形尺寸图

端子厚度 t＝0.20
一般公差±0.1

印刷板加工图 (BOTTOM VIEW)

加工尺寸公差±0.1

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