Panasonic松下 HE 1a1b PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
Panasonic松下 HE 1a1b PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器) 基本信息 低导通电阻和经济性两者兼备的1a1b型 UL 已取得。 标准认证信息 特点 1.负载电压 400V 2.低导通电阻(typ.11Ω) 3.耐电压 1,500V AC 4.输出构成:1a1b 用途 1.安防设备 2.数据通信设备 3.电话设备 4.传感器设备 订货产品号 订货产品号 封装 电压类型 端子形状 包装方式 负载电压 负载电流 耐电压 品号 AQW654 型号 AQW654 DIP8 AC/DC 标准P/C板端子 管装包装 400V 120mA 1,500Vrms 品号 AQW654A 型号 AQW654A DIP8 AC/DC 表面安装端子 管装包装 400V 120mA 1,500Vrms 品号 AQW654AX 型号 AQW654AX DIP8 AC/DC 表面安装端子 盘装包装(X) 400V 120mA 1,500Vrms 品号 AQW654AZ 型号 AQW654AZ DIP8 AC/DC 表面安装端子 盘装包装(Z) 400V 120mA 1,500Vrms 发现了4件的产品。 现表示其中的1~4件 包装数量 : 标准P/C板端子 : 内箱(管装包装)50个,外箱400个 表面安装端子 : 内...
分类:
货号:
HE 1a1b
描述
Panasonic松下 HE 1a1b PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
基本信息
特点
1.负载电压 400V
2.低导通电阻(typ.11Ω)
3.耐电压 1,500V AC
4.输出构成:1a1b
用途
1.安防设备
2.数据通信设备
3.电话设备
4.传感器设备
订货产品号
订货产品号 | 封装 | 电压类型 | 端子形状 | 包装方式 | 负载电压 | 负载电流 | 耐电压 | ||||
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DIP8 | AC/DC | 标准P/C板端子 | 管装包装 | 400V | 120mA | 1,500Vrms | ||||
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DIP8 | AC/DC | 表面安装端子 | 管装包装 | 400V | 120mA | 1,500Vrms | ||||
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DIP8 | AC/DC | 表面安装端子 | 盘装包装(X) | 400V | 120mA | 1,500Vrms | ||||
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DIP8 | AC/DC | 表面安装端子 | 盘装包装(Z) | 400V | 120mA | 1,500Vrms |
发现了4件的产品。 现表示其中的1~4件 |
包装数量 | : | 标准P/C板端子 | : | 内箱(管装包装)50个,外箱400个 |
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表面安装端子 | : | 内箱(管装包装)50个,外箱400个 内箱(盘装包装)1,000个,外箱1,000个 |
额定・性能概要
额定
1.绝对最大额定值(测定条件环境温度:25℃)
项目 | 符号 | AQW654 (A) | 备注 | |
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输入端 | LED电流 | IF | 50 mA | |
LED反向电压 | VR | 5 V | ||
最大正向电流 | IFP | 1 A | f = 100 Hz, 占空比 = 0.1% | |
允许损耗 | Pin | 75 mW | ||
输出端 | 负载电压 (峰值AC) | VL | 400 V | |
连续负载电流 | IL | 0.12 A (0.16 A) | 峰值AC, DC ( ) 内仅限1a或1b 1电路时 |
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峰值负载电流 | Ipeak | 0.36 A | 100 ms (1 shot), VL = DC | |
输出损耗 | Pout | 800 mW | ||
全部允许损耗 | PT | 850 mW | ||
耐电压 | Viso | 1,500 Vrms | ||
使用环境温度 | Topr | -40~+85°C | (应无结冰,结露) | |
保存温度 | Tstg | -40~+100°C | ||
接合部温度 | Tj | 125°C |
2.性能概要(测定条件 环境温度:25℃)
项目 | 符号 | AQW654(A) | 测定条件 | ||
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输入 | 动作LED电流 | 平均 | IFon(N.O.) IFoff(N.C.) |
0.9 mA | IL = Max. |
最大 | 3.0 mA | ||||
复位LED电流 | 最小 | IFoff(N.O.) IFon(N.C.) |
0.4 mA | IL = Max. | |
平均 | 0.8 mA | ||||
LED压降 | 平均 | VF | 1.25 V(IF = 5 mA时,1.14 V) | IF = 50 mA | |
最大 | 1.5 V | ||||
输出 | 导通电阻 | 平均 | Ron | 11 Ω | IF = 5 mA(N.O.) IF = 0 mA(N.C.) IL = Max. 通电时间 = 1秒以下 |
最大 | 16 Ω | ||||
开路状态漏电流 | 最大 | ILeak | 1 µA | IF = 0 mA(N.O.) IF = 5 mA(N.C.) VL = Max. |
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传输 特性 |
动作时间※ | 平均 | Ton(N.O.) Toff(N.C.) |
0.8 ms(N.O.) 1.2 ms(N.C.) | IF = 0 mA → 5 mA IL = Max. |
最大 | 2.0 ms | ||||
复位时间※ | 平均 | Toff(N.O.) Ton(N.C.) |
0.04 ms(N.O.) 0.36 ms(N.C.) | IF = 5 mA → 0 mA IL = Max. |
|
最大 | 1.0 ms | ||||
输入/输出端子间 容量 |
平均 | Ciso | 0.8 pF | f = 1 MHz VB = 0 V |
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最大 | 1.5 pF | ||||
输入/输出间 绝缘电阻 |
最小 | Riso | 1,000 MΩ | 500 V DC |
※ | 动作·复位时间 |
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3.建议动作条件(测定条件 环境温度:25℃)
为了正确地使用输出光电耦合器动作、复位,请按以下条件进行使用。
项目 | 符号 | 使用电路数 | 最小 | 最大 | 单位 | |
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LED电流 | IF | ー | 5 | 30 | mA | |
AQW654(A) | 负载电压(峰值AC) | VL | ー | ー | 320 | V |
连续负载电流 | IL | 1ch 2ch |
ー | 0.16 0.12 |
A |
尺寸图
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